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Thin film etchants

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Transene products find extensive use in semiconductor microelectronics and offers a large range of thin film etchants including Al, Al2O3, BOE, Cr, Cr-Si, Cr-SiO, Cu, GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, Ge, Au, Hf, HfO, In2O3, ITO, InP, Fe2O3, Polyimide, MgO, Mo, Nb, NbN, NbO, Ni-Cr, Ni, Ni-V, Pd, Pd, Ru, Si, SiC, SiO2, SiO, Si3N4, Ag, Acier inox, Ta, Ta3N5, Ta2O5, TaSi, Sn, SnO, Ti, TiN, Ti-W, W, SnO

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Solutions de gravure couches minces

Couche Solution de gravure Vitesse d'attaque Résine recommandée Application
Aluminium

Al

TYPE A

30 Å/sec @ 25°C // 80 Å/sec @ 40°C

Négative & Positive

Semi-conducteur & Circuits intégrés, GaAs & GaP, AlSi

Al

TYPE D

40 Å/sec @ 25°C // 125 Å/sec @ 40°C

Négative & Positive

Semi-conducteur & Circuits intégrés, GaAs & GaP, AlSi

Al

TYPE F

30 Å/sec @ 25°C // 80 Å/sec @ 40°C

Négative & Positive

Semi-conducteur & Circuits intégrés, GaAs & GaP, AlSi

Al2O3

TRANSETCH N

120 Å/min @ 180 °C

SiO2

Semi-conducteur

Al2O3

Tantalum Etchant 111

20-30 Å/sec@20 °C

Sapphire

BOE

Buffered Oxide Etch

Variable

Négative

Semi-conducteur & Circuits intégrés

Cr

1020

40 Å/sec @40°C

Négative & Positive

Circuits couches minces, Masque Chrome

Cr

1020

40 Å/sec @40°C

Négative & Positive

Circuits couches minces, Masque Chrome

Cr

1020AC

32 Å/sec @40

Négative & Positive

Circuits couches minces, Masque Chrome

Cr-Si
Cr-SiO

Chrome, Cermet TFE

1000 Å/min @ 50 °C

Négative

Circuits couches minces

Cuivre

Cu

CE-100

1 mil/min @ 40 °C

Cu

CE-200

0.5 mil/min @ 40 °C

Positive & Négative

Circuits couches minces

Cu

APS-100

80 Å/sec @ 40 °C

Positive & Négative

Circuits couches minces

Cu

Copper Etch 49-1

22 Å/sec @ 30 °C

Positive & Négative

Compatible Ni

Cu

Copper Etch BTP

150 Å/sec @30 °C

Négative

Compatible Ni

Gallium

GaAs

GA ETCH 100

100 Å/sec @ 40 °C

Négative

Circuits micro-électronique

GaAs

GA ETCH 200

20 Å/sec @ 5 °C

Négative

Circuits micro-électronique

GaAs

GA ETCH 300

22 Å/sec @ 25 °C

Négative

Circuits micro-électronique

GaAs

AB ETCH

Defect Delineation

Négative

Tests semi-conducteurs

GaN

Gallium Nitride

80 A/min

SiO2

LED

Ga2O3

Gallium Oxide

10 Å/sec @ 25 °C

Négative

Circuits micro-électronique

GaP

Gallium Phosphide

A Face(Ga): 115 micron/hr @ 80 °C
B Face (P): 210 micron/hr @ 80 °C

Négative

LED

Ge

Germanium

250 Å/sec @ 20 °C

Négative

Semi-conducteurs

OR

Au

TFA

28 Å/sec @ 25 °C

Négative & Positive

Circuits couches minces

Au

TFAC

30 Å/sec @ 60 °C

Négative

GaAs compatible

Au

GE-8148

50 Å/sec @ 25 °C

Négative & Positive

Compatible Ni

Au

GE-8110

15 Å/sec @ 25 °C

Négative & Positive

Compatible Ni

Au

GE-8111

15 Å/sec @ 25 °C

Négative & Positive

Compatible Ni

Hf, HfO

Hafnium, Hafnium Oxide

45 Å/sec @ 25 °C, ALD HfO 7.5 Å/sec

Négative

Utiliser Titanium Etch TFT

In2O3
ITO

Indium Oxide
Indium Tin Oxide

15 Å/sec @ 25 °C

Négative

Circuits micro-électronique

InP

Indium Phosphide

30 mins @ 25 °C

Négative

Circuits micro-électronique

Fe2O3

Iron Oxide ME-10

50 Å/sec @ 25 °C

Négative & Positive

Circuits micro-électronique

Fe2O3

Iron Oxide ME-10

50 Å/sec @ 25 °C

Négative & Positive

Circuits micro-électronique

Fe2O3

Iron Oxide ME-30

25 Å/sec @ 25 °C

Négative & Positive

Circuits micro-électronique

Polyimide

Kapton Polyimide Etchant

0.013 mil/min @ 40 °C, 0.07 mil/min @ 60 °C

Négative

Polyimide/Stratifiés cuivrés

MgO

Magnesium Oxide Etchant, MgOX12

40 Å/sec @ 30°C

Négative & Positive

Mo

Moly Etchant TFM

55 Å/sec @ 30 °C, 85 Å/sec @ 60 °C

Négative

Circuits micro-électronique

Nb / NbN/ NbO

Niobium, Niobium Nitride, Niobium Oxide

50Å / sec @ 25 oC

Négative

Micro-électronique

Ni-Cr

Nichrome Etchants TFN

50 Å/sec @ 40 °C

Négative & Positive

Circuits couches minces

Nickel et alliages

Ni

TFB

30 Å/sec @25 °C

Négative & Positive

Circuits couches minces

Ni

TFG

50 Å/sec @ 40 °C

Négative & Positive

Circuits couches minces

Ni

Type I

3 mil/hr @ 40 °C

Négative & Positive

Circuits couches minces

Ni-V

Nickel-Vanadium Etch

30 Å/sec @ 20 °C

Négative & Positive

Micro-électronique

Pd

Palladium Etchants TFP

110 Å/sec @ 50 °C

Négative & Positive

Semi-conducteur & Circuits couches minces

Pd

Palladium Etchants EC

Gravure électro-chimique

Reagent semiconductor etchants (RSE)

Couche Solution de gravure Vitesse d'attaque Résine recommndée Application

Ru

RUTHENIUM ETCH

20 Å/sec @ 20 °C

Négative & Positive

Micro-électronique

Semiconductor delination etchants

Couche Solution de gravure Vitesse d'attaque Résine recommndée Application

Si

SILICON MESA ETCH

Variable

KMER

Semi-conducteur

Si

REAGENT SEMICONDUCTOR ETCHANTS (RSE)

Variable

KMER

Semi-conducteur

Si

SILICON SLOW ETCH

Variable

PKP Type I

Semi-conducteur

SILICON

Si

PSE 200

1 mil/3 min @ 100 °C

Semi-conducteurs

Si

PSE 300

25 m/hr @ 100 °C

Semi-conducteurs

Cellules solaires

Si

SCE-200

1 hr @ 75-100 °C

Cellules solaires

Si

SCE-300

5-10 min @ 118 °C

Cellules solaires

Si

WRIGHT ETCHANT

Defect Characterization

N/A

Tests semi-conducteurs

Si

SIRTL ETCHANT

Defect Characterization

N/A

Tests semi-conducteurs

SiC

SILICON CARBIDE

80 Å/min

Négative

LED

SiO2

BUFFER HF IMPROVED

800Å/min @ 25 °C, Thermally Grown

Négative

Semi-conducteur & Circuits intégrés

SiO2

BD ETCHANT

Variable

Négative

PSG/BSG

SiO2

TIMETCH

90 Å/min @ 25 °C

Négative

CVD

SiO2

SILOX VAPOX III

4000 Å/min @ 22 °C

Négative

CVD, Compatible Al

SiO2

AIPAD Etch 639

5000 Å/min

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