Thin film etchants

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Transene products find extensive use in semiconductor microelectronics and offers a large range of thin film etchants including Al, Al2O3, BOE, Cr, Cr-Si, Cr-SiO, Cu, GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, Ge, Au, Hf, HfO, In2O3, ITO, InP, Fe2O3, Polyimide, MgO, Mo, Nb, NbN, NbO, Ni-Cr, Ni, Ni-V, Pd, Pd, Ru, Si, SiC, SiO2, SiO, Si3N4, Ag, Acier inox, Ta, Ta3N5, Ta2O5, TaSi, Sn, SnO, Ti, TiN, Ti-W, W, SnO

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Solutions de gravure couches minces

Couche	Solution de gravure	Vitesse d'attaque	Résine recommandée	Application
Aluminium
Al	TYPE A	30 Å/sec @ 25°C // 80 Å/sec @ 40°C	Négative & Positive	Semi-conducteur & Circuits intégrés, GaAs & GaP, AlSi
Al	TYPE D	40 Å/sec @ 25°C // 125 Å/sec @ 40°C	Négative & Positive	Semi-conducteur & Circuits intégrés, GaAs & GaP, AlSi
Al	TYPE F	30 Å/sec @ 25°C // 80 Å/sec @ 40°C	Négative & Positive	Semi-conducteur & Circuits intégrés, GaAs & GaP, AlSi
Al2O3	TRANSETCH N	120 Å/min @ 180 °C	SiO2	Semi-conducteur
Al2O3	Tantalum Etchant 111	20-30 Å/sec@20 °C		Sapphire
BOE	Buffered Oxide Etch	Variable	Négative	Semi-conducteur & Circuits intégrés
Cr	1020	40 Å/sec @40°C	Négative & Positive	Circuits couches minces, Masque Chrome
Cr	1020	40 Å/sec @40°C	Négative & Positive	Circuits couches minces, Masque Chrome
Cr	1020AC	32 Å/sec @40	Négative & Positive	Circuits couches minces, Masque Chrome
Cr-Si Cr-SiO	Chrome, Cermet TFE	1000 Å/min @ 50 °C	Négative	Circuits couches minces
Cuivre
Cu	CE-100	1 mil/min @ 40 °C
Cu	CE-200	0.5 mil/min @ 40 °C	Positive & Négative	Circuits couches minces
Cu	APS-100	80 Å/sec @ 40 °C	Positive & Négative	Circuits couches minces
Cu	Copper Etch 49-1	22 Å/sec @ 30 °C	Positive & Négative	Compatible Ni
Cu	Copper Etch BTP	150 Å/sec @30 °C	Négative	Compatible Ni
Gallium
GaAs	GA ETCH 100	100 Å/sec @ 40 °C	Négative	Circuits micro-électronique
GaAs	GA ETCH 200	20 Å/sec @ 5 °C	Négative	Circuits micro-électronique
GaAs	GA ETCH 300	22 Å/sec @ 25 °C	Négative	Circuits micro-électronique
GaAs	AB ETCH	Defect Delineation	Négative	Tests semi-conducteurs
GaN	Gallium Nitride	80 A/min	SiO2	LED
Ga2O3	Gallium Oxide	10 Å/sec @ 25 °C	Négative	Circuits micro-électronique
GaP	Gallium Phosphide	A Face(Ga): 115 micron/hr @ 80 °C B Face (P): 210 micron/hr @ 80 °C	Négative	LED
Ge	Germanium	250 Å/sec @ 20 °C	Négative	Semi-conducteurs
OR
Au	TFA	28 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Au	TFAC	30 Å/sec @ 60 °C	Négative	GaAs compatible
Au	GE-8148	50 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Compatible Ni
Au	GE-8110	15 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Compatible Ni
Au	GE-8111	15 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Compatible Ni
Hf, HfO	Hafnium, Hafnium Oxide	45 Å/sec @ 25 °C, ALD HfO 7.5 Å/sec	Négative	Utiliser Titanium Etch TFT
In2O3 ITO	Indium Oxide Indium Tin Oxide	15 Å/sec @ 25 °C	Négative	Circuits micro-électronique
InP	Indium Phosphide	30 mins @ 25 °C	Négative	Circuits micro-électronique
Fe2O3	Iron Oxide ME-10	50 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Circuits micro-électronique
Fe2O3	Iron Oxide ME-10	50 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Circuits micro-électronique
Fe2O3	Iron Oxide ME-30	25 Å/sec @ 25 °C	Négative & Positive	Circuits micro-électronique
Polyimide	Kapton Polyimide Etchant	0.013 mil/min @ 40 °C, 0.07 mil/min @ 60 °C	Négative	Polyimide/Stratifiés cuivrés
MgO	Magnesium Oxide Etchant, MgOX12	40 Å/sec @ 30°C	Négative & Positive
Mo	Moly Etchant TFM	55 Å/sec @ 30 °C, 85 Å/sec @ 60 °C	Négative	Circuits micro-électronique
Nb / NbN/ NbO	Niobium, Niobium Nitride, Niobium Oxide	50Å / sec @ 25 oC	Négative	Micro-électronique
Ni-Cr	Nichrome Etchants TFN	50 Å/sec @ 40 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Nickel et alliages
Ni	TFB	30 Å/sec @25 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Ni	TFG	50 Å/sec @ 40 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Ni	Type I	3 mil/hr @ 40 °C	Négative & Positive	Circuits couches minces
Ni-V	Nickel-Vanadium Etch	30 Å/sec @ 20 °C	Négative & Positive	Micro-électronique
Pd	Palladium Etchants TFP	110 Å/sec @ 50 °C	Négative & Positive	Semi-conducteur & Circuits couches minces
Pd	Palladium Etchants EC			Gravure électro-chimique

Reagent semiconductor etchants (RSE)

Couche	Solution de gravure	Vitesse d'attaque	Résine recommndée	Application
Ru	RUTHENIUM ETCH	20 Å/sec @ 20 °C	Négative & Positive	Micro-électronique

Semiconductor delination etchants

Couche	Solution de gravure	Vitesse d'attaque	Résine recommndée	Application
Si	SILICON MESA ETCH	Variable	KMER	Semi-conducteur
Si	REAGENT SEMICONDUCTOR ETCHANTS (RSE)	Variable	KMER	Semi-conducteur
Si	SILICON SLOW ETCH	Variable	PKP Type I	Semi-conducteur
SILICON
Si	PSE 200	1 mil/3 min @ 100 °C		Semi-conducteurs
Si	PSE 300	25 m/hr @ 100 °C		Semi-conducteurs
Cellules solaires
Si	SCE-200	1 hr @ 75-100 °C		Cellules solaires
Si	SCE-300	5-10 min @ 118 °C		Cellules solaires
Si	WRIGHT ETCHANT	Defect Characterization	N/A	Tests semi-conducteurs
Si	SIRTL ETCHANT	Defect Characterization	N/A	Tests semi-conducteurs
SiC	SILICON CARBIDE	80 Å/min	Négative	LED
SiO2	BUFFER HF IMPROVED	800Å/min @ 25 °C, Thermally Grown	Négative	Semi-conducteur & Circuits intégrés
SiO2	BD ETCHANT	Variable	Négative	PSG/BSG
SiO2	TIMETCH	90 Å/min @ 25 °C	Négative	CVD
SiO2	SILOX VAPOX III	4000 Å/min @ 22 °C	Négative	CVD, Compatible Al
SiO2	AIPAD Etch 639	5000 Å/min

Solutions de gravure couches minces

Reagent semiconductor etchants (RSE)

Semiconductor delination etchants

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